为何晶圆厂必须全面淘汰含硅成分的超细纤维无尘布，以保护良率、光学元件与设备可靠性

Foamtec 技术白皮书 | 2025年12月10日

1. 执行摘要：被忽略的硅污染

多年来，半导体工程团队一直致力于将硅氧烷（PDMS）从关键制程环境中彻底移除。这一防护策略取得了显著成效，

推动行业以 PFPE 取代硅油、以 FFKM 取代硅胶 O-ring，并全面停止使用含硅润滑脂，从而有效避免了因挥发与迁移

所导致的制程污染。

然而，许多晶圆厂忽视了另一项持续存在的 PDMS 污染源——超细纤维无尘布。实验数据证实，不少亚洲来源的无尘布

在制造过程中使用 PDMS 作为润滑剂，且在清洁作业中极易产生残留。由于 PDMS 具有高度迁移性，一旦被带入制程，

便会引发严重的交叉污染，影响前段与后段的多种先进制程，包括先进封装工艺。

业界已确认，PDMS 污染会导致：

▪前段制程（EUV / 量测）：光学雾化、量测漂移、静电吸盘（ESC）稳定性下降；

▪先进封装：晶圆键合失效、Underfill 可靠性降低、芯片与中介层贴附不良

Foamtec 的 MiraWIPE® 采用完全无硅设计，经验证具备“PDMS 零检出迁移”的能力，可有效封堵这一最难以管控的污染途径。

2. 行业先例：全面移除高迁移性硅氧烷污染源

半导体产业早已在真空系统与密封材料上推行“去硅化”标准，这些成功经验清楚表明：

面对高迁移性的污染物，唯有从源头移除，才能真正奏效。

如今，这一标准也必须应用于洁净室超细纤维无尘布——它是洁净室中最后一个被广泛使用的硅污染源。

3. 交叉污染与晶圆背面的“储库效应”

PDMS 会从含硅无尘布上轻易转移至关键模块（如涂胶显影轨道、湿法制程台, robot blade）后通过接触转移至晶圆背面。

晶圆背面因此成为一个移动的 PDMS 储库。

当被污染的晶圆进入敏感或高价的设备时：

▪热量或真空会使 PDMS 挥发；

▪挥发的 PDMS 会迁移并在原本洁净的表面重新冷凝；

▪即使该设备使用的是无硅无尘布清洁，也仍然会被污染；

这种交叉污染循环具有极强的渗透性和隐蔽性。

表 1：不同无尘布的 PDMS 含量及表面迁移数据

从 LAM 蚀刻腔体中回收的污染颗粒的 SEM 显微图像         FTIR 光谱确认该材料为硅酮，显示出明显的 Si–O–Si

其表面形貌和变形特征与在设备预防性维护（PM）          伸缩振动峰和 CH3 变形振动峰，其化学特征与该工厂

过程中脱落的硅橡胶碎屑相一致。                   使用的含硅清洁擦拭材料相匹配。

4.对前段制程与先进封装的关键影响

即便是单分子层级别的 PDMS 也会严重影响前段，后段以及封装制程。

A.前段良率与可靠性影响

▪光学雾化与漂移：挥发并重新冷凝的 PDMS 薄膜会降低 EUV 与计量光学系统的透光率，导致关键尺寸

（CD）漂移，破坏量测重复性。

▪ESC Chuck故障：PDMS 膜为非极性，会降低摩擦力，静电吸附性与热接触均匀性，造成滑片与热度不均匀，严重破坏芯片制程。

B.先进封装中的粘附与键合失效

PDMS 本质上是一种极佳的脱模媒介，会破坏晶圆或芯片表面的高能粘附力：

▪W2W / D2W 晶圆与芯片键合：键合界面上的微量硅污染会阻碍原子级键合，导致空洞、分层、电气断路/短路。

▪芯片—中介层键合：降低 underfill 与导热界面材料（TIM）的粘附强度。

▪RDL 与光刻胶粘附： 影响重新布线层（RDL）的形成以及相关的光刻制程。

5.MiraWIPE®：为硅源头消除而设计

MiraWIPE 专为切断 PDMS 污染循环而设计。

它是一款完全无硅的先进超细纤维无尘布，在确保高效去除颗粒与残留物的同时，不会携带其他超细纤维无尘布的硅污染。

其特点包括：

▪纯度验证：生产中不使用 PDMS、硅基粘结剂或润滑剂；

▪优异性能： 具备关键设备预防维护（PM）所需的卓越清除性能与耐磨性。

6. 给晶圆厂工程师的建议

为确保良率并维持制程稳定性，以下行动可有效清除 PDMS 污染风险：

1.全厂管控

在所有晶圆接触与传输路径（轨道、湿法台、蚀刻/去胶腔体，robot blade ）全面使用经认证的无硅超细纤维无尘布，以防止晶圆背面交叉污染。

2.材料稽核与汰换

建议使用分析工具检验现有无尘布，淘汰所有含 PDMS 的品项。

3.标准化

统一采用 MiraWIPE® ，消除洁净室中最后且最广泛的硅污染源。